單片機ROM最初不能編輯，出場的程序不可更改，不靈活。后來出現(xiàn)了PROM，可以自己寫入程序一次，但是要是錯了，只能換一片。隨著不斷改進，終于出現(xiàn)了多次可擦寫的EPROM，每次把擦除的芯片拿到紫外線上照一下即可。歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改ROM中的內容了。

單片機IC芯片EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。

如今已經存在多種單片機IC芯片EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。

狹義的單片機IC芯片EEPROM：

這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過512K的。

單片機IC芯片F(xiàn)lash:

Flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。

既然兩者差不多，為什么單片機中還要既有Flash又有EEPROM呢？

通常，單片機里的Flash都用于存放運行代碼，在運行過程中不能改；EEPROM是用來保存用戶數(shù)據(jù)，運行過程中可以改變，比如一個時鐘的鬧鈴時間初始化設定為12：00，后來在運行中改為6：00，這是保存在EEPROM里，不怕掉電，就算重新上電也不需要重新調整到6：00。

最大區(qū)別是其實是：單片機IC芯片F(xiàn)LASH按扇區(qū)操作，單片機IC芯片EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，F(xiàn)LASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的集成電路MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型集成電路MCU則都是EEPRM結構，現(xiàn)在已基本上停產了。深圳英銳恩推出的EN系列單片機IC芯片產品基本都是帶EEPROM和Flash，可免費燒錄，提供技術支持。