國內(nèi)單片機(jī)開發(fā)公司英銳恩分享低功耗單片機(jī)開發(fā)COMS設(shè)計。低功耗單片機(jī)芯片開發(fā)中CMOS集成電路工作頻率的提高，芯片的功耗也就越大，要降低單片機(jī)芯片的功耗，可以通過延長工作時間需要提高電源性能或者在保證電路在一定的溫度范圍內(nèi)工作，單片機(jī)芯片有精確的封裝和良好的散熱性能。

EN系列單片機(jī)芯片采用低功耗特性CMOS 技術(shù)，低工作電流及待機(jī)電流，減少單片機(jī)芯片功耗。

先了解一下集成電路CMOS的定義：基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應(yīng)晶體管對管（見P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路。

過高的溫度損壞單片機(jī)芯片，所以單片機(jī)芯片在一定的溫度范圍內(nèi)工作，且需要精確的封裝和良好的散熱性能。單片機(jī)芯片功耗特別是功耗密度問題變得越來越突出，影響電路性能的關(guān)鍵問題。功耗密度的增加將引起芯片溫度升高，影響電路的可靠性，芯片溫度每升高10℃，器件壽命將減少一半。解決芯片發(fā)熱問題，需解決芯片封裝和冷卻問題。隨著各種微小型的便攜機(jī)和便攜式設(shè)備的發(fā)展，單片機(jī)芯片集成更小。

所以單片機(jī)開發(fā)中降低功耗是CMOS集成發(fā)展的需求。EN系列單片機(jī)開發(fā)設(shè)計會綜合考慮的CMOS設(shè)計。

單片機(jī)芯片中的功耗轉(zhuǎn)化成熱量釋放出來，而過多的熱量會導(dǎo)致工作溫度升高，繼而降低系統(tǒng)的可靠性，導(dǎo)致產(chǎn)品功能出現(xiàn)異常。單片機(jī)芯片功耗匹配相應(yīng)的芯片封裝，對于工作溫度較低的芯片，可采用成本較低的塑料封裝，而對于工作溫度較高的芯片，需要采用成本至少高上5-10美元的陶瓷封裝，以保證芯片不會被燒毀，另外溫度過高的芯片還需要強(qiáng)有力的空氣或者液冷散熱裝置，這些都會增加芯片成本。
        
針對不同領(lǐng)域的芯片，單片機(jī)芯片設(shè)計CMOS集成需求及芯片封裝需求不一樣，應(yīng)用在不同領(lǐng)域/產(chǎn)品上的單片機(jī)芯片可以直接咨詢國內(nèi)單片機(jī)開發(fā)公司英銳恩，給你最適合最經(jīng)濟(jì)的單片機(jī)芯片。