氮化鎵（GaN）晶體管在電力電子行業(yè)的發(fā)展非常迅速，并且因其高電子遷移率等特性而成為硅基FET的流行替代品。此外，氮化鎵晶體管用于更多的應用，如電源充電器、汽車和音頻放大器。

一、什么是氮化鎵？

大多數(shù)人都知道硅是什么，或者至少聽說過它。簡而言之，適用于大多數(shù)基于半導體的應用的“傳統(tǒng)”半導體。它很便宜，我們有很多使用它的經驗，它非常安全，而且這是我們現(xiàn)有的大多數(shù)半導體技術最適合的。然而，隨著設備變得更強大，它很快就會達到它的“極限”。

很長一段時間以來，研究人員一直在努力尋找純硅的繼任者，這就是碳化硅（SiC）（一種更快、更堅固、更有效的純硅替代品）和GaN等產品的用武之地。GaN是一種直接帶隙半導體，自1990年代以來一直用于藍光發(fā)光二極管（LED）。該帶隙比硅的帶隙高得多，使其成為用于構建晶體管的硅的更好替代品，因為它們的電阻較小。

二、氮化鎵晶體管

GaN晶體管具有獨特的優(yōu)勢，可以取代硅基FET。英銳恩單片機工程師解釋，由于GaN的擊穿電壓非常高、電子遷移率高，并且能夠在更高的溫度和更高的電壓下工作，因此它們非常適合用于功率放大器等應用。此外，高功率密度和高電壓擊穿限制使GaN成為5G蜂窩基站應用的有希望的候選者。

GaN晶體管的驅動方式與傳統(tǒng)MOSFET相同。這意味著它們很容易集成到現(xiàn)有的設計架構中，部分原因是2020年GaN得到更廣泛的接受，更多的應用程序（如數(shù)據(jù)中心、電源和汽車系統(tǒng)）實施它們。

三、基于氮化鎵的電源

英銳恩單片機開發(fā)工程師介紹，事實上，正是電源類產品，更具體地說，是基于GaN的充電器——在2020年開始興起。它們在1月份的CES上占有重要地位，到6月，它們的數(shù)量和使用水平的激增開始施加壓力市場上的電力行業(yè)更有效和實用的設計解決方案。

這是因為隨著智能手機和筆記本電腦等設備功能的增加，它們的電源需求也隨之增加——它們需要做更多的事情。而這些設備的便攜性給制造商帶來了額外的壓力，要求他們減小充電器的尺寸和重量。消費者根本不想拖著笨重的充電器；他們想要與他們使用的設備一樣時尚的東西。

由于GaN技術在轉換功率方面效率更高，因此它作為熱量損失的能量更少。這意味著GaN電源充電器設計可以使用比基于硅晶體管的充電器更小、更便宜的組件。這導致基于GaN的電源充電器更小、更輕，同時仍然能夠滿足甚至超過最新設備的高功率需求。

此外，隨著智能設備開始激增，更多地關注實現(xiàn)更深入的人類理解和滿足人類需求，為它們提供動力的新興技術（即人工智能、面部識別、生物識別）將導致更高的電力需求。更高效、更小巧的基于GaN的電源可能是滿足這些下一代設備更高功率需求的關鍵。

以上就是英銳恩單片機開發(fā)工程師分享的“氮化鎵（GaN）：電力電子的下一個大趨勢？”。英銳恩專注單片機應用方案設計與開發(fā)，提供8位單片機、16位單片機、32位單片機。