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IR推出新型DirectFET MOSFET

更新時間: 2019-01-07
閱讀量:1916

世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V),導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。

單個采用SO-8封裝的IRF6648,性能可與兩個并聯(lián)的同類增強(qiáng)型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。

如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉(zhuǎn)換器的次級,功率密度可由每平方英寸72W增加15%。這完全歸功于IR DirectFETMOSFET 封裝技術(shù)具有的良好散熱設(shè)計和雙面冷卻能力。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出:“我們擴(kuò)展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列,這使得電源設(shè)計人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級插槽的性能。”

“IRF6648是一種多功能器件,可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器、24V輸入初級正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統(tǒng)。”

IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利,它集中了標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不具備的一系列設(shè)計優(yōu)點。其中的金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能,使用以驅(qū)動先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。另外,DirectFET封裝的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(RoHS)的要求。

IRF6648 DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨。產(chǎn)品基本規(guī)格如下:

產(chǎn)品編號封裝VDSS (V)VGS=10V下的最大RDS(on)典型Qg(nC)典型Qgd (nC) IRF6648 DirectFET MN 60 7mΩ 36 14
IR還提供以下設(shè)計工具和應(yīng)用指南:
AN-1035 –DirectFET MOSFET電路板安裝指南
AN-1050 –DirectFET MOSFET物料及實際應(yīng)用
AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性

此外設(shè)計人員還可以訪問IR的DirectFET網(wǎng)上搜索中心,進(jìn)一步了解如何利用DirectFET器件的獨特優(yōu)點及其如何增強(qiáng)電氣和熱性能的信息。

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