世界功率管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導電損耗可比同類解決方案減少30%。

單個采用SO-8封裝的IRF6648，性能可與兩個并聯(lián)的同類增強型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網(wǎng)絡系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉換器。

如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉換器的次級，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。這完全歸功于IR DirectFETMOSFET 封裝技術具有的良好散熱設計和雙面冷卻能力。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出：“我們擴展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列，這使得電源設計人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉換器的初級和次級插槽的性能。”

“IRF6648是一種多功能器件，可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉換器、24V輸入初級正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統(tǒng)。”

IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利，它集中了標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優(yōu)點。其中的金屬罐構造能發(fā)揮雙面冷卻功能，使用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力增加了一倍。另外，DirectFET封裝的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質限制指令”（RoHS）的要求。

IRF6648 DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨。產(chǎn)品基本規(guī)格如下：

產(chǎn)品編號封裝VDSS (V)VGS＝10V下的最大RDS（on）典型Qg(nC)典型Qgd (nC) IRF6648 DirectFET MN 60 7mΩ 36 14
IR還提供以下設計工具和應用指南：
AN-1035 –DirectFET MOSFET電路板安裝指南
AN-1050 –DirectFET MOSFET物料及實際應用
AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性

此外設計人員還可以訪問IR的DirectFET網(wǎng)上搜索中心，進一步了解如何利用DirectFET器件的獨特優(yōu)點及其如何增強電氣和熱性能的信息。